IBM推出“相位变化存储器”，比SSD快100倍

    IBM日前宣布已经研发出全新的存储技术，该技术名为“相位变化存储器”（phase-change memory，PCM）。最令人激动的是，IBM宣称采用PCM的存储芯片的读写速率将轻易秒杀闪存，其实际读写速率大约可以达到后者的100倍。预计采用PCM技术的存储芯片将首先用于生产新型内存，然后再逐渐用于制造SSD、服务器硬盘和主流硬盘。

“相位变化存储器”（phase-change memory，PCM）样品

    据称，如果一台计算机搭载了采用PCM技术的硬盘，那么它将可以真正实现“瞬间载入操作系统”。同时IBM还宣称，PCM技术可以保证计算机在突然掉电时不会丢失任何数据。跟闪存不同的是，PCM介质会相当可靠耐用，其可读写次数轻松超过千万数量级。这远远超出闪存的可读写次数。

    IBM研究院的存储技术研发负责人Haris Pozidis博士表示：“云计算相关的应用正逐步丰富和流行，而云计算对存储介质的性能和可靠性都提出了更高的要求。因此，新型的PCM技术将给各种企业级应用带来更具保障的硬件支持，而且我们已经取得进展，正试图使用PCM芯片来制造可用的存储介质产品。”

    就目前而言，我们认为PCM技术还需时日才能正式出现在实体产品中，在此之前，传统的SSD会仍然保持着“最快可用存储介质”的地位。