IBM推出“相位变化存储器”,比SSD快100倍

By admin  2011年07月24日 转载 关注度 3,999 2 条评论

    IBM日前宣布已经研发出全新的存储技术,该技术名为“相位变化存储器”(phase-change memory,PCM)。最令人激动的是,IBM宣称采用PCM的存储芯片的读写速率将轻易秒杀闪存,其实际读写速率大约可以达到后者的100倍。预计采用PCM技术的存储芯片将首先用于生产新型内存,然后再逐渐用于制造SSD服务器硬盘和主流硬盘。

IO速率将超闪存100倍?IBM宣布新型PCM存储技术
“相位变化存储器”(phase-change memory,PCM)样品

    据称,如果一台计算机搭载了采用PCM技术的硬盘,那么它将可以真正实现“瞬间载入操作系统”。同时IBM还宣称,PCM技术可以保证计算机在突然掉电时不会丢失任何数据。跟闪存不同的是,PCM介质会相当可靠耐用,其可读写次数轻松超过千万数量级。这远远超出闪存的可读写次数。

    IBM研究院的存储技术研发负责人Haris Pozidis博士表示:“云计算相关的应用正逐步丰富和流行,而云计算对存储介质的性能和可靠性都提出了更高的要求。因此,新型的PCM技术将给各种企业级应用带来更具保障的硬件支持,而且我们已经取得进展,正试图使用PCM芯片来制造可用的存储介质产品。”

    就目前而言,我们认为PCM技术还需时日才能正式出现在实体产品中,在此之前,传统的SSD会仍然保持着“最快可用存储介质”的地位。

评论

2 评论 “IBM推出“相位变化存储器”,比SSD快100倍”
  1. Firm说道:

    看来云技术是大趋势啊,,

  2. 打死算了说道:

    嗯,这个很久以前我就听说了,据说 IBM 这个研发花了很多钱,也备受争议。

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